Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 4 A 1.8 W, 6-Pin SI1401EDH-T1-GE3 US
- RS Best.-Nr.:
- 180-7898
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1401EDH-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Herst. Teile-Nr.:
- SI1401EDH-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 12V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | US | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 34mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.8W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14.1nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2.2mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Breite | 2.4 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 12V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße US | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 34mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.8W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14.1nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2.2mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Breite 2.4 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 12V and a maximum gate-source voltage of 10V. It has drain-source resistance of 34mohm at a gate-source voltage of 4.5V. It has a maximum power dissipation of 2.8W and continuous drain current of 4A. The minimum and a maximum driving voltage for this transistor are 1.5V and 4.5V respectively. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Halogen free
• Lead (Pb) free
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
• TrenchFET power MOSFET
• Typical ESD performance 1500V
Applications
• Cellular phone
• DSC
• GPS
• Load switch
• MP3
• PA switch and battery switch for portable devices
• Portable game console
Certifications
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg tested
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