Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, SMD MOSFET 60 V Erweiterung / 190 A, 3-Pin SC-75
- RS Best.-Nr.:
- 180-7825
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1021R-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 180-7825
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1021R-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 190A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SC-75 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 190A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SC-75 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der TrenchFET-Leistungs-MOSFET der Serie Siliconix Si1021R von Vishay hat einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit. Es wird in batteriebetriebenen Systemen, Stromversorgungs-Wandlerkreisen, Halbleiterrelais und in Treibern eingesetzt.
Einfaches Ansteuern von Schaltern
Niedrige Offset-Spannung
Niederspannungsbetrieb
Hochgeschwindigkeitsschaltungen
Einfacher Antrieb ohne Puffer
Kleine Leiterplattenfläche
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