Vishay Isoliert TrenchFET Typ P, Typ P-Kanal 2, Oberfläche, SMD MOSFET 60 V Erweiterung / 135 mA 250 mW, 6-Pin SC-89-6

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RS Best.-Nr.:
165-6899
Herst. Teile-Nr.:
SI1025X-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

135mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SC-89-6

Montageart

Oberfläche, SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.7nC

Durchlassspannung Vf

-1.4V

Maximale Verlustleistung Pd

250mW

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Höhe

0.6mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.2mm

Länge

1.7mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH

Zweifach-P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Vishay Semiconductor


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