Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 8 A 4.2 W, 6-Pin TSOP
- RS Best.-Nr.:
- 812-3160
- Herst. Teile-Nr.:
- SI3477DV-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- 812-3160
- Herst. Teile-Nr.:
- SI3477DV-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 12V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 33mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 58nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -0.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 4.2W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.1mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 12V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 33mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 58nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -0.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 4.2W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.1mm | ||
Höhe 1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
P-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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