Vishay Doppelt TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4 A 3.1 W, 8-Pin TSOP
- RS Best.-Nr.:
- 180-7787
- Herst. Teile-Nr.:
- SI5515CDC-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Herst. Teile-Nr.:
- SI5515CDC-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.156 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.1W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.65mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.05mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.156 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.1W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.65mm | ||
Höhe 1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.05mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
Der Vishay SMD-Zweikanal-MOSFET (P- und N-Kanäle) ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 20 V und einem Drain-Source-Widerstand von 36 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 4,5 V. Er hat eine maximale Nennleistung von 3,1 W. Der MOSFET hat einen kontinuierlichen Ableitungsstrom von 4 A. Es hat Anwendung in Lastschaltern für tragbare Geräte. MOSFET wurde optimiert für geringere Schalt- und Leitungsverluste.
Eigenschaften und Vorteile
• Halogenfrei
• bleifrei (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET
Zertifizierungen
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg-geprüft
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