Vishay Doppelt TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4 A 3.1 W, 8-Pin TSOP

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180-7787
Herst. Teile-Nr.:
SI5515CDC-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

TSOP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

3.1W

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1mm

Länge

3.05mm

Breite

1.65 mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


Der Vishay SMD-Zweikanal-MOSFET (P- und N-Kanäle) ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 20 V und einem Drain-Source-Widerstand von 36 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 4,5 V. Er hat eine maximale Nennleistung von 3,1 W. Der MOSFET hat einen kontinuierlichen Ableitungsstrom von 4 A. Es hat Anwendung in Lastschaltern für tragbare Geräte. MOSFET wurde optimiert für geringere Schalt- und Leitungsverluste.

Eigenschaften und Vorteile


• Halogenfrei

• bleifrei (Pb)

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Zertifizierungen


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg-geprüft

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