Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 2.3 A 1.4 W, 6-Pin TSOP

RS Best.-Nr.:: 165-6919
Herst. Teile-Nr.:: SI3993CDV-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 2.3 A 1.4 W, 6-Pin TSOP

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 165-6919
Herst. Teile-Nr.:: SI3993CDV-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	2.3A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Gehäusegröße	TSOP
	Serie	TrenchFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	6
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	188mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	5.2nC
	Betriebstemperatur min.	150°C
	Maximale Verlustleistung Pd	1.4W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Betriebstemperatur	-55°C
	Transistor-Konfiguration	Isoliert
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	3.1mm
	Höhe	1mm
	Breite	1.7mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.3A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Gehäusegröße TSOP
	Serie TrenchFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 6
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 188mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.2nC
	Betriebstemperatur min. 150°C
	Maximale Verlustleistung Pd 1.4W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Betriebstemperatur -55°C
	Transistor-Konfiguration Isoliert
	Normen/Zulassungen No
	Länge 3.1mm
	Höhe 1mm
	Breite 1.7mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: CN

Leistungs-MOSFET der Serie TrenchFET von Vishay, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 2,3 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SI3993CDV-T1-GE3

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein oberflächenmontierter P-Kanal-Schalttransistor, der für kompakte Anwendungen mit geringem Stromverbrauch entwickelt wurde. Er arbeitet in einem bescheidenen Spannungsbereich und ist für effiziente Schaltvorgänge vorgesehen, bei denen eine Dual-Element-isolierte Transistorkonfiguration erforderlich ist. Die Komponente wird in einem schlanken TSOP-Gehäuse geliefert, das für die Integration auf Board-Ebene in elektronische Steuerungssysteme geeignet ist.

Merkmale und Vorteile:

• Maximale Ablassspannung von 30 V ermöglicht sicheres Schalten bei niedriger Spannung
• 2,3 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme
• Niedriger RDS(on) von 188 mΩ reduziert Leitungsverluste
• 5,2 nC typische Gate-Ladung ermöglicht schnelle Gate-Schaltung
• Die Verlustleistung von 1,4 W ermöglicht einen Duty-Cycle-Betrieb
• Isoliertes Dual-Element-Design ermöglicht Split-Channel-Implementierungen

Anwendungen

• Geeignet für die Niederspannungs-Motorsteuerung in Automatisierungsmodulen
• Ideal für das Schalten der Stromversorgung in kompakten Netzteilen
• Wird für das Schalten der Last in eingebetteten Steuerungssystemen verwendet
• Kann für die Polaritätskontrolle in Batteriemanagement-Schaltkreisen verwendet werden

Welcher thermische Bereich kann während des Betriebs erwartet werden?

Das Gerät ist für den Betrieb zwischen -55 °C und 150 °C ausgelegt, was den Einsatz in erweiterten Temperaturumgebungen ermöglicht.

Wie unterstützt das Paket die Platinenmontage?

Das TSOP-Oberflächenmontageformat mit sechs Stiften erleichtert die automatische Platzierung und das Löten auf dicht belegten Boards.

Kann das Gate höhere Steuerspannungen bewältigen?

Das Gate sollte maximal 20 V nicht überschreiten, um eine Beschädigung des Gate-Oxids zu vermeiden und die spezifizierte Leistung aufrechtzuerhalten.

Unterstützt das Gerät Multi-Element-Konfigurationen auf einem einzigen Chip?

Ja, er enthält zwei Elemente pro Chip in einer isolierten Konfiguration, was gepaarte Schaltanordnungen ohne externe Isolierung ermöglicht.