Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 2.3 A 1.4 W, 6-Pin TSOP

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

CHF.537.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 30. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +CHF.0.179CHF.526.05

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
165-6919
Herst. Teile-Nr.:
SI3993CDV-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

TSOP

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

188mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1.4W

Betriebstemperatur min.

150°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5.2nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Höhe

1mm

Länge

3.1mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.7 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Zweifach-P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links