Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 2.3 A 1.4 W, 6-Pin TSOP
- RS Best.-Nr.:
- 812-3189
- Herst. Teile-Nr.:
- SI3993CDV-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 812-3189
- Herst. Teile-Nr.:
- SI3993CDV-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 188mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.2nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.4W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Breite | 1.7mm | |
| Länge | 3.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 188mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.2nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.4W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Breite 1.7mm | ||
Länge 3.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET der Serie TrenchFET von Vishay, 30 V Drain-Source-Spannung, 2,3 A kontinuierlicher Drain-Strom – SI3993CDV-T1-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein oberflächenmontierter P-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Lastmanagementfunktionen in kompakten elektronischen Baugruppen entwickelt wurde. Er bietet eine isolierte Transistorkonfiguration in einem flachen TSOP-Gehäuse und ist für Anwendungen vorgesehen, die eine moderate Strombelastbarkeit und eine kontrollierte Gate-Ansteuerung in einer 30-V-Spannungsumgebung erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• P-Kanal-Enhancement-Modus ermöglicht einfache High-Side-Schaltung
• Der kontinuierliche Spitzen-Ablassstrom von 2,3 A unterstützt moderate Lasten
• Niedrige Rds(on) bei 188 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Eine typische Gate-Ladung von 5,2 nC ermöglicht schnelle Gate-Übergänge
• Maximale Verlustleistung von 1,4 W verwaltet die thermische Belastung in kleinen Boards
• Das oberflächenmontierbare 6-polige Gehäuse ermöglicht eine kompakte Platzierung der Leiterplatte
• Der kontinuierliche Spitzen-Ablassstrom von 2,3 A unterstützt moderate Lasten
• Niedrige Rds(on) bei 188 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Eine typische Gate-Ladung von 5,2 nC ermöglicht schnelle Gate-Übergänge
• Maximale Verlustleistung von 1,4 W verwaltet die thermische Belastung in kleinen Boards
• Das oberflächenmontierbare 6-polige Gehäuse ermöglicht eine kompakte Platzierung der Leiterplatte
Anwendungen
• Geeignet für batteriebetriebene High-Side-Schaltkreise
• Ideal für die Trennung von Gleichstromlasten und die Blockierung von Rückstrom
• Wird mit Power-Management-Modulen in Verbrauchergeräten verwendet
• Kann für die Pegelverschiebung der Gate-Steuerung in kompakten Baugruppen verwendet werden
• Ideal für die Trennung von Gleichstromlasten und die Blockierung von Rückstrom
• Wird mit Power-Management-Modulen in Verbrauchergeräten verwendet
• Kann für die Pegelverschiebung der Gate-Steuerung in kompakten Baugruppen verwendet werden
Welche Gate-Treiberbeschränkungen sollte ich berücksichtigen?
Das Gerät nimmt bis zu ±20 V zwischen Gate und Quelle auf, sodass Gate-Drive-Schaltkreise Vgs innerhalb dieses Bereichs halten müssen, um Gate-Spannungen zu vermeiden.
Wie tolerant ist es für extreme Temperaturen während des Betriebs?
Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit starken thermischen Schwankungen.
Wie viele Transistorelemente enthält die Matrize und wie hoch ist die Anzahl der Gehäusestifte?
Der Chip integriert zwei Elemente und das Gehäuse verfügt über sechs Pins für Leiterplattenanschlüsse.
Wie hoch ist die maximale Ablass-Quellenspannung und wie wirkt sich dies auf das Schaltungsdesign aus?
Der MOSFET ist für 30 V zwischen Drain und Quelle ausgelegt, daher sollte er verwendet werden, wenn Versorgungsschienen und transiente Bedingungen unter diesem Schwellenwert bleiben.
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