Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 1.1 A 1.25 W, 6-Pin SC-88
- RS Best.-Nr.:
- 812-3108
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1967DH-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 812-3108
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1967DH-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SC-88 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 790mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.25W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2.2mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 1.35mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SC-88 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 790mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.25W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2.2mm | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 1.35mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET der Serie TrenchFET von Vishay, 20 V maximale Drain-Source-Spannung, 1,1 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SI1967DH-T1-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein P-Kanal-Oberflächenmontage-Transistor, der für das Schalten von Niederspannungen in kompakten elektronischen Systemen entwickelt wurde. Es arbeitet als Enhancement-Mode-Gerät und ist für die Leistungssteuerung auf Board-Ebene vorgesehen, bei der eine geringe Strombelastbarkeit und eine geringe Grundfläche erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 20 V Drain-Source ermöglicht den Einsatz von Niederspannungsanlagen • 1,1 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt leichte Leistungsschaltung • Niedrige Rds(on) von 790 mΩ reduziert Leitungsverluste während des Betriebs • 2,6 nC typische Gate-Ladung ermöglicht schnellere Gate-Übergänge • 1,25 W Verlustleistung verwaltet thermische Belastung in kleinen Baugruppen • Isolierter Zwei-Elemente-Transistor ermöglicht gepaarte Schaltanordnungen
Anwendungen
• Geeignet für Batteriemanagement und Stromschienenumschaltung in tragbaren Geräten • Ideal für Lastschaltvorgänge in industriellen Steuermodulen • Wird für den Verpolungsschutz in eingebetteten Systemen verwendet • Kann zur Signalpegelverschiebung in gemischten Spannungsschaltkreisen verwendet werden
Welches Gehäuse sollte ich bei der Entwicklung der Leiterplatte planen?
Das Gerät wird in einem 6-poligen SC‐88-SMD-Gehäuse geliefert, das eine kompakte Grundfläche beansprucht, die für Platinen mit hoher Dichte geeignet ist.
Wie wirkt sich die Temperatur auf die Betriebsgrenzen aus?
Die Komponente ist für den Betrieb zwischen -55 °C und 150 °C spezifiziert und definiert die zulässigen Umgebungs- und Sperrschichtumgebungen für zuverlässiges Schalten.
Kann diese Komponente in Kfz-Systemen verwendet werden?
Es ist nicht nach Automobilstandards klassifiziert, daher sollte die Eignung vor dem Einsatz anhand der Qualifikationsanforderungen für Fahrzeuge bewertet werden.
Welcher Gate-Spannungsbereich ist für Steuersignale zulässig?
Der Gate-Antrieb darf eine 8-V-Gate-to-Source-Grenze nicht überschreiten, um eine Überbelastung des Geräts zu vermeiden.
Wie viele Transistorelemente befinden sich auf dem Chip und welche Konfiguration sind sie?
Der Chip enthält zwei isolierte Elemente, die so konfiguriert sind, dass sie gepaarte oder unabhängige Schaltanordnungen ermöglichen.
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