Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 1.1 A 1.25 W, 6-Pin SC-88

RS Best.-Nr.:: 145-2681
Herst. Teile-Nr.:: SI1967DH-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 1.1 A 1.25 W, 6-Pin SC-88

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Herst. Teile-Nr.:: SI1967DH-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	1.1A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	20V
	Serie	TrenchFET
	Gehäusegröße	SC-88
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	6
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	790mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	8V
	Maximale Verlustleistung Pd	1.25W
	Betriebstemperatur min.	150°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	2.6nC
	Maximale Betriebstemperatur	-55°C
	Transistor-Konfiguration	Isoliert
	Höhe	1mm
	Länge	2.2mm
	Breite	1.35mm
	Normen/Zulassungen	No
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.1A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 20V
	Serie TrenchFET
	Gehäusegröße SC-88
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 6
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 790mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 8V
	Maximale Verlustleistung Pd 1.25W
	Betriebstemperatur min. 150°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.6nC
	Maximale Betriebstemperatur -55°C
	Transistor-Konfiguration Isoliert
	Höhe 1mm
	Länge 2.2mm
	Breite 1.35mm
	Normen/Zulassungen No
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: CN

Leistungs-MOSFET der Serie TrenchFET von Vishay, 20 V maximale Drain-Source-Spannung, 1,1 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SI1967DH-T1-GE3

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein P-Kanal-Oberflächenmontage-Transistor, der für das Schalten von Niederspannungen in kompakten elektronischen Systemen entwickelt wurde. Es arbeitet als Enhancement-Mode-Gerät und ist für die Leistungssteuerung auf Board-Ebene vorgesehen, bei der eine geringe Strombelastbarkeit und eine geringe Grundfläche erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:

• Die Nennleistung von 20 V Drain-Source ermöglicht den Einsatz von Niederspannungsanlagen • 1,1 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt leichte Leistungsschaltung • Niedrige Rds(on) von 790 mΩ reduziert Leitungsverluste während des Betriebs • 2,6 nC typische Gate-Ladung ermöglicht schnellere Gate-Übergänge • 1,25 W Verlustleistung verwaltet thermische Belastung in kleinen Baugruppen • Isolierter Zwei-Elemente-Transistor ermöglicht gepaarte Schaltanordnungen

Anwendungen

• Geeignet für Batteriemanagement und Stromschienenumschaltung in tragbaren Geräten • Ideal für Lastschaltvorgänge in industriellen Steuermodulen • Wird für den Verpolungsschutz in eingebetteten Systemen verwendet • Kann zur Signalpegelverschiebung in gemischten Spannungsschaltkreisen verwendet werden

Welches Gehäuse sollte ich bei der Entwicklung der Leiterplatte planen?

Das Gerät wird in einem 6-poligen SC‐88-SMD-Gehäuse geliefert, das eine kompakte Grundfläche beansprucht, die für Platinen mit hoher Dichte geeignet ist.

Wie wirkt sich die Temperatur auf die Betriebsgrenzen aus?

Die Komponente ist für den Betrieb zwischen -55 °C und 150 °C spezifiziert und definiert die zulässigen Umgebungs- und Sperrschichtumgebungen für zuverlässiges Schalten.

Kann diese Komponente in Kfz-Systemen verwendet werden?

Es ist nicht nach Automobilstandards klassifiziert, daher sollte die Eignung vor dem Einsatz anhand der Qualifikationsanforderungen für Fahrzeuge bewertet werden.

Welcher Gate-Spannungsbereich ist für Steuersignale zulässig?

Der Gate-Antrieb darf eine 8-V-Gate-to-Source-Grenze nicht überschreiten, um eine Überbelastung des Geräts zu vermeiden.

Wie viele Transistorelemente befinden sich auf dem Chip und welche Konfiguration sind sie?

Der Chip enthält zwei isolierte Elemente, die so konfiguriert sind, dass sie gepaarte oder unabhängige Schaltanordnungen ermöglichen.