Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 1.1 A 1.25 W, 6-Pin SC-88

RS Best.-Nr.:: 145-2681
Herst. Teile-Nr.:: SI1967DH-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 1.1 A 1.25 W, 6-Pin SC-88

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RS Best.-Nr.:: 145-2681
Herst. Teile-Nr.:: SI1967DH-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	1.1A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	20V
	Gehäusegröße	SC-88
	Serie	TrenchFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	6
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	790mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	2.6nC
	Maximale Verlustleistung Pd	1.25W
	Gate-Source-spannung max Vgs	-8V, +8V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	+150°C
	Transistor-Konfiguration	Isoliert
	Breite	1.35mm
	Länge	2.2mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	1mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.1A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 20V
	Gehäusegröße SC-88
	Serie TrenchFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 6
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 790mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.6nC
	Maximale Verlustleistung Pd 1.25W
	Gate-Source-spannung max Vgs -8V, +8V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur +150°C
	Transistor-Konfiguration Isoliert
	Breite 1.35mm
	Länge 2.2mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 1mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: CN

Leistungs-MOSFET der Serie TrenchFET von Vishay, 20 V maximale Drain-Source-Spannung, 1,1 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SI1967DH-T1-GE3

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein oberflächenmontierter P-Kanal-Transistor für Niederspannungsschalt- und analoge Funktionen in kompakten elektronischen Baugruppen. Er arbeitet als Enhancement-Modus-Gerät und ist so konzipiert, dass er dort integriert werden kann, wo eine isolierte Transistorkonfiguration und eine geringe Dauerstromverarbeitung erforderlich sind. Die Komponente wird in einem kleinen SC-88-Gehäuse geliefert, das für dichte Layouts geeignet ist.

Merkmale und Vorteile:

• Die Nennleistung von 20 V Drain-Source ermöglicht das Schalten bei niedriger Spannung
• 1,1 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt konstante Lasten
• 790 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste
• Die typische Gate-Ladung von 2,6 nC ermöglicht schnellere Gate-Übergänge
• 1,25 W Verlustleistung bewältigt mäßige thermische Belastung

Anwendungen

• Geeignet für Batterieschutzschaltungen in tragbaren Geräten
• Ideal für Lastschaltvorgänge in kompakten Leistungsmodulen
• Wird mit Pegelverschiebungsstufen in analogen Front-Ends verwendet
• Kann zum Schalten von zwei Kanälen in engen Leiterplattenbereichen verwendet werden

Welche Montageart ist für die Montage erforderlich?

Sie ist für die Oberflächenmontage auf Standard-Lötpads vorgesehen, die mit SC-88-Abmessungen kompatibel sind.

Wie viele aktive Transistorelemente enthält er?

Das Gerät enthält zwei Elemente pro Chip, was eine duale Funktion oder ein komplementäres Routing in Designs ermöglicht.

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten Entwickler beachten?

Die maximale Gate-to-Source-Nennspannung beträgt 8 V, die nicht überschritten werden darf, um eine Belastung des Geräts zu vermeiden.

Welchem Temperaturbereich hält es im Betrieb stand?

Er ist für den Betrieb zwischen -55 °C und 150 °C ausgelegt und eignet sich für eine Vielzahl von Umgebungsbedingungen.