Vishay Isoliert TrenchFET N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 1.3 A 1.25 W, 6-Pin SC-88

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RS Best.-Nr.:
165-6930
Herst. Teile-Nr.:
SI1922EDH-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SC-88

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

263mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

-8V, +8V

Maximale Verlustleistung Pd

1.25W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.6nC

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

+150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

2.2mm

Höhe

1mm

Breite

1.35mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH

Zweifach-N-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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