Vishay Isoliert TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 700 mA 340 mW, 6-Pin SC-70-6

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

CHF 333.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +CHF 0.111CHF 321.18

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
165-6904
Herst. Teile-Nr.:
SI1553CDL-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

700mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SC-70-6

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.48mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

12V, -12V

Maximale Verlustleistung Pd

340mW

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.2nC

Maximale Betriebstemperatur

+150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.35mm

Höhe

1mm

Länge

2.2mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH

MOSFET der Serie TrenchFET von Vishay, 20 V maximale Drain-Source-Spannung, 700 mA maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SI1553CDL-T1-GE3


Dieser MOSFET ist ein kompakter oberflächenmontierbarer Zweikanal-Transistor, der für Schalt- und analoge Aufgaben in kleinen Baugruppen entwickelt wurde. Es integriert sowohl P-Kanal- als auch N-Kanal-Geräte auf einem einzigen Chip und ermöglicht komplementäre Schalttopologien sowie vereinfachte Anforderungen an die Grundfläche für Entwickler, die mit Niederspannungs-Stromversorgungsschienen und Signalpegel-Schaltungen arbeiten.

Merkmale und Vorteile:


• Sehr niedrige Rds(on) von 1.48 mΩ für reduzierte Leitungsverluste
• Typische Gate-Ladung Qg von 1,2 nC für schnelleres Gate-Drive-Ansprechen
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 700 mA für das Schalten bei mittlerer Last
• Maximale Vds von 20 V zur Unterstützung von Niederspannungs-Leistungsbereichen
• Verlustleistung von 340 mW zur Bewältigung thermischer Lasten

Anwendungsbereich


• Geeignet für Batteriemanagement und Stromverteilungsschaltkreise
• Ideal für Lastschaltvorgänge in tragbaren Messgeräten
• Wird mit Pegelverschiebungs- und komplementären FET-Stufen verwendet
• Kann für Niederspannungs-Motorsteuerungs-Treiberstufen verwendet werden

Welche Gehäuseart verwendet es und wie viele Stifte sind vorhanden?


Es wird in einem 6-poligen SC-70-SMD-Gehäuse geliefert, das Platz auf der Leiterplatte spart und gleichzeitig separate Anschlüsse für zwei Geräte bietet.

Welche Gate-Spannungsgrenzen sollte das Design einhalten?


Die Gate-to-Source-Spannung muss innerhalb von ±12 V liegen, um Gerätebelastungen zu vermeiden und einen sicheren Betrieb zu gewährleisten.

Welcher Betriebstemperaturbereich kann bei der Implementierung erwartet werden?


Er verträgt einen breiten Umgebungsbereich von -55 °C bis 150 °C und unterstützt anspruchsvolle thermische Umgebungen.

Enthält das Gerät mehrere Elemente pro Matrize und wie wirkt sich das auf das Layout aus?


Der Chip enthält zwei diskrete Elemente, die eine gespiegelte Verlegung für komplementäre Schaltkreise ermöglichen und die Anzahl der Komponenten reduzieren.

Verwandte Links