Vishay Isoliert TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 700 mA 340 mW, 6-Pin SC-88
- RS Best.-Nr.:
- 165-6904
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1553CDL-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 700mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | SC-88 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.48mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 340mW | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -12/12 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.2nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Länge | 2.2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.35 mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 700mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße SC-88 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.48mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 340mW | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -12/12 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.2nC | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Länge 2.2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.35 mm | ||
Höhe 1mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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