Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4.5 A 7.8 W, 8-Pin SC-70 SIA938DJT-T1-GE3

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Herst. Teile-Nr.:
SIA938DJT-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SC-70

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

21.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.5nC

Maximale Verlustleistung Pd

7.8W

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der Vishay Dual N-Kanal MOSFET bietet außergewöhnliche Vielseitigkeit für das Design des Strommanagements.

Sehr niedriger RDS(on) und ausgezeichneter RDS x Qg.

Merit-of-Merit (FOM) in einem ultrakompakten

Gehäuseabmessungen

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