Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4.5 A 7.8 W, 8-Pin SC-70
- RS Best.-Nr.:
- 228-2835
- Herst. Teile-Nr.:
- SIA938DJT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | CHF.0.609 | CHF.15.28 |
| 250 - 600 | CHF.0.578 | CHF.14.51 |
| 625 - 1225 | CHF.0.494 | CHF.12.23 |
| 1250 - 2475 | CHF.0.462 | CHF.11.47 |
| 2500 + | CHF.0.431 | CHF.10.71 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 228-2835
- Herst. Teile-Nr.:
- SIA938DJT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SC-70 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 21.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 7.8W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SC-70 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 21.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 7.8W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay Dual N-Kanal MOSFET bietet außergewöhnliche Vielseitigkeit für das Design des Strommanagements.
Sehr niedriger RDS(on) und ausgezeichneter RDS x Qg.
Merit-of-Merit (FOM) in einem ultrakompakten
Gehäuseabmessungen
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