Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 0.5 A 220 mW, 6-Pin SC-89
- RS Best.-Nr.:
- 180-7879
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1034CX-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 0.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | SC-89 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.396Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.3nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 220mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Höhe | 0.6mm | |
| Breite | 1.2 mm | |
| Länge | 1.7mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 0.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße SC-89 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.396Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.3nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 220mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Höhe 0.6mm | ||
Breite 1.2 mm | ||
Länge 1.7mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Vishay MOSFET
The Vishay surface mount dual N-channel MOSFET has a drain-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 396mohm at a gate-source voltage of 4.5V. It has a maximum power rating of 220mW. The MOSFET has continuous drain current of 610mA. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Gate source ESD protected: 1000V
• Halogen free
• Lead (Pb) free
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
• TrenchFET power MOSFET
Applications
• Battery powered devices
• Drivers: relays, solenoids, lamps, hammers, displays, memories
• Load/power switching for portable devices
• Power supply converter circuits
Certifications
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg tested
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