Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 0.5 A 220 mW, 6-Pin SC-89
- RS Best.-Nr.:
- 180-7262
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1034CX-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- SI1034CX-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 0.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | SC-89 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.396Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.3nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 220mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 1.7mm | |
| Höhe | 0.6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.2 mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 0.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße SC-89 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.396Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.3nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 220mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 1.7mm | ||
Höhe 0.6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.2 mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Vishay MOSFET
The Vishay surface mount dual N-channel MOSFET has a drain-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 396mohm at a gate-source voltage of 4.5V. It has a maximum power rating of 220mW. The MOSFET has continuous drain current of 610mA. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Gate source ESD protected: 1000V
• Halogen free
• Lead (Pb) free
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
• TrenchFET power MOSFET
Applications
• Battery powered devices
• Drivers: relays, solenoids, lamps, hammers, displays, memories
• Load/power switching for portable devices
• Power supply converter circuits
Certifications
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg tested
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