Vishay Isoliert TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 300 mA 250 mW, 6-Pin SC-89-6

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Herst. Teile-Nr.:
SI1029X-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

300mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SC-89-6

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.4V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

750nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

250mW

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Länge

1.7mm

Breite

1.7 mm

Höhe

0.6mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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