Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 210 mA 340 mW, 3-Pin SI1032R-T1-GE3 SC-75

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787-9024
Herst. Teile-Nr.:
SI1032R-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

210mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SC-75

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

340mW

Gate-Source-spannung max Vgs

±6 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS

Höhe

0.8mm

Breite

0.86 mm

Länge

1.68mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, 8 V bis 25 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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