onsemi BSS138W Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 210 mA 340 mW, 3-Pin SC-70

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304-44-720
Herst. Teile-Nr.:
BSS138W
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

210mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

50V

Serie

BSS138W

Gehäusegröße

SC-70

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

340mW

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.4V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.1nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.9mm

Länge

2mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.25 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor


Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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