Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 210 mA 340 mW, 3-Pin SC-75
- RS Best.-Nr.:
- 165-7260
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1032R-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.315.00
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | CHF.0.105 | CHF.299.25 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 165-7260
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1032R-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 210mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SC-75 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±6 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 340mW | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 0.86 mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Länge | 1.68mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 210mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SC-75 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±6 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 340mW | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 0.86 mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Höhe 0.8mm | ||
Länge 1.68mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MOSFET, 8 V bis 25 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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