Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 0.52 A 1 W, 6-Pin SI1411DH-T1-GE3 US

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180-7915
Herst. Teile-Nr.:
SI1411DH-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

0.52A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

US

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.6Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.2nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.1mm

Länge

2.2mm

Breite

2.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
The Vishay Siliconix SI1411DH series TrenchFET P channel power MOSFET has drain to source voltage of 150 V. It is used in active clamp circuits in DC/DC power supplies.

Small, thermally enhanced SC-70 package

Ultra low on-resistance

Pb-free

Halogen free

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