Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 29 A 5 W, 8-Pin SI4459ADY-T1-GE3 SO-8

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Herst. Teile-Nr.:
SI4459ADY-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

29A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

129nC

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

5W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.75mm

Länge

5mm

Breite

6.2 mm

Automobilstandard

Nein

Vishay MOSFET


Der Vishay P-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 30 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 5 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 7,8 W und einen Dauerstrom von 29 A. Die minimale und maximale Treiberspannung für diesen MOSFET beträgt 4,5 V bzw. 10 V. Der MOSFET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• Halogenfrei

• bleifrei (Pb)

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Anwendungen


• Adapterschalter

• Notebook

Zertifizierungen


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg-geprüft

• UIS-Prüfung

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