Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 50 A 48 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 165-6295
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7149ADP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- SI7149ADP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0052Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.74V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 43.1nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 48W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | Lead (Pb)-Free | |
| Höhe | 1.07mm | |
| Länge | 5.99mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0052Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.74V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 43.1nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 48W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen Lead (Pb)-Free | ||
Höhe 1.07mm | ||
Länge 5.99mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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