Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 50 A 48 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

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Herst. Teile-Nr.:
SI7149ADP-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0052Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.74V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

25V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

43.1nC

Maximale Verlustleistung Pd

48W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

Lead (Pb)-Free

Länge

5.99mm

Breite

5mm

Höhe

1.07mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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