Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 74 A 38 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 735-113
- Herst. Teile-Nr.:
- SiRA12BDP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*
CHF.0.909
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 02. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e) | Pro Gurtabschnitt |
|---|---|
| 1 - 24 | CHF.0.91 |
| 25 - 99 | CHF.0.61 |
| 100 + | CHF.0.32 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 735-113
- Herst. Teile-Nr.:
- SiRA12BDP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 74A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.006Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 38W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 21nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5.3mm | |
| Länge | 6.25mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 74A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.006Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 38W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 21nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5.3mm | ||
Länge 6.25mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Höhe 1.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TW
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für effiziente und zuverlässige Leistungsschaltung in Hochleistungselektronik entwickelt. Er ist vollständig Rg- und UIS-geprüft, um Robustheit unter elektrischen Belastungen und anspruchsvollen Betriebsbedingungen zu gewährleisten. Optimiert für geringe Verluste und schnelles Schalten, unterstützt er kompakte Designs mit hoher Leistungsdichte und erfüllt gleichzeitig RoHS-konforme und halogenfreie Anforderungen.
Bietet 100 Prozent Rg- und UIS-Tests für bewährte Gerätezuverlässigkeit
Unterstützt DC/DC-Wandleranwendungen mit hoher Leistungsdichte
Ermöglicht effiziente synchrone Gleichrichterleistung
Entspricht den RoHS-Normen und den halogenfreien Anforderungen
Verwandte Links
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 50 A 48 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 30 V / 64 A 36 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 30 V / 60 A 43 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 30 V / 40 A 17 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 12 V / 85 A 69.4 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 23 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 185.6 A 65.7 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 20 A 29 W, 8-Pin PowerPAK 1212