onsemi IGBT / 80 A ±20V max. , 650 V 94 W, 3-Pin TO-3PF N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
185-7999
Herst. Teile-Nr.:
FGAF40S65AQ
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Dauer-Kollektorstrom max.

80 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

94 W

Gehäusegröße

TO-3PF

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

15.7 x 5.7 x 24.7mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Gate-Kapazität

2590pF

Nennleistung

325mJ

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Nicht-konform

Ursprungsland:
KR
Mit der neuartigen Feldstop-IGBT-Technologie bietet die neue Feldstopp-Baureihe von ON Semiconductor der 4. Generation von RC IGBTs die optimale Leistung für Umrichter-PFC-Stufe von Consumer-Anwendungen und industriellen Anwendungen.

Maximale Abschlusstemperatur: TJ = 175 °C.
Positiv temperiert koeffizient für einfachen Parallelbetrieb
Hohe Strombelastbarkeit
Niedrige Sättigungsspannung: VCE(sat) = 1,6V(typ.) @ IC = 40A
Hohe Eingangsimpedanz
100 % der Teile wurden auf ILM getestet
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Verschärfte Parameterverteilung
IGBT mit monolithischer Rückleiterdiode
Anwendungen
Haushaltsgeräte
PFC, Schweißgerät
Industrieanwendungen

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