onsemi IGBT / 80 A, 650 V 238 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche

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185-8642
Herst. Teile-Nr.:
AFGB40T65SQDN
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

80A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

238W

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.6V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS, Pb-Free

Breite

10.67 mm

Länge

9.65mm

Höhe

4.06mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Energie

22.3mJ

Nicht-konform

Ursprungsland:
CN
Einsatz des neuartigen Feldstops IGBT-Technologie der 4. Generation. AFGB40T65SQDN bietet die optimale Leistung mit geringer Leitungsdämpfung und Schaltdämpfung für einen hocheffizienten Betrieb in verschiedenen Anwendungen.

VCE(sat) = 1,6 V (typ.) @ IC = 40 A

Koverpackte Diode mit niedriger VF-Empfindlichkeit

Für die Automobilindustrie

Geringer Leitungsverlust

Geringes Rauschen und Leitungsverlust

Anwendungen

Kfz-Bordgebühr

KFZ-DC/DC-Wandler für HEV

Endprodukte

EV/PHEV

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