onsemi IGBT / 40 A ±20V max., 650 V 267 W, 2+Tab-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal

Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
135-8687
Herst. Teile-Nr.:
FGB40T65SPD_F085
Marke:
ON Semiconductor
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ON Semiconductor

Dauer-Kollektorstrom max.

40 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

267 W

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Channel-Typ

N

Pinanzahl

2+Tab

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

10.67 x 9.65 x 4.83mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Gate-Kapazität

1520pF

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Für die Automobilindustrie zugelassene IGBTs, Fairchild Semiconductor


Eine Serie von Feldstopp-Trench-IGBTs von Fairchild Semiconductor, die einem Belastungstest unterzogen wurden und die Norm AEC-Q101 erfüllen.

Merkmale


• Positiver Temperaturkoeffizient für einfachen Parallelbetrieb
• Hohe Strombelastbarkeit
• Niedrige Sättigungsspannung
• Hohe Eingangsimpedanz
• Engere Parameterverteilung

RS-Produktcodes



864-8792 FGB20N60SFD_F085 IGBT 600 V 20 A D2PAK-2
864-8852 FGH40N60SMD_F085 IGBT 600 V 40 A TO247
864-8877 FGH60N60SMD_F085 IGBT 600 V 60 A TO247
135-8687 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650 V 40 A TO263
135-8663 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650 V 40 A TO263 (Packung mit 800 Stück)
864-8871 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650 V 75 A TO247
124-1447 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650 V 75 A TO247 (Packung mit 30 Stück)

Hinweis

Die angegebenen Nennströme gelten bei einer Verbindungstemperatur von Tc = +100°C.

Normen

AEC-Q101


IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links

Recently viewed