onsemi IGBT / 80 A ±20V max., 650 V 267 W, 2+Tab-Pin D2PAK (TO-263) P-Kanal

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RS Best.-Nr.:
135-8663
Herst. Teile-Nr.:
FGB40T65SPD-F085
Marke:
ON Semiconductor
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Marke

ON Semiconductor

Dauer-Kollektorstrom max.

80 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

267 W

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Channel-Typ

P

Pinanzahl

2+Tab

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

10.67 x 9.65 x 4.83mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Automobilstandard

AEC-Q101

Gate-Kapazität

1520pF

Betriebstemperatur max.

+175 °C

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