onsemi IGBT / 80 A ±20V max., 650 V 267 W, 2+Tab-Pin D2PAK (TO-263) P-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 135-8663
- Herst. Teile-Nr.:
- FGB40T65SPD-F085
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 135-8663
- Herst. Teile-Nr.:
- FGB40T65SPD-F085
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 80 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Verlustleistung max. | 267 W | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Channel-Typ | P | |
| Pinanzahl | 2+Tab | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 10.67 x 9.65 x 4.83mm | |
| Gate-Kapazität | 1520pF | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 80 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Verlustleistung max. 267 W | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Channel-Typ P | ||
Pinanzahl 2+Tab | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 10.67 x 9.65 x 4.83mm | ||
Gate-Kapazität 1520pF | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Für die Automobilindustrie zugelassene IGBTs, Fairchild Semiconductor
Eine Serie von Feldstopp-Trench-IGBTs von Fairchild Semiconductor, die einem Belastungstest unterzogen wurden und die Norm AEC-Q101 erfüllen.
Merkmale
Positiver Temperaturkoeffizient für einfachen Parallelbetrieb
Hohe Strombelastbarkeit
Niedrige Sättigungsspannung
Hohe Eingangsimpedanz
Engere Parameterverteilung
Hohe Strombelastbarkeit
Niedrige Sättigungsspannung
Hohe Eingangsimpedanz
Engere Parameterverteilung
RS-Produktcodes
864-8792 FGB20N60SFD_F085 IGBT 600 V 20 A D2PAK-2
864-8852 FGH40N60SMD_F085 IGBT 600 V 40 A TO247
864-8877 FGH60N60SMD_F085 IGBT 600 V 60 A TO247
135-8687 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650 V 40 A TO263
135-8663 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650 V 40 A TO263 (Packung mit 800 Stück)
864-8871 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650 V 75 A TO247
124-1447 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650 V 75 A TO247 (Packung mit 30 Stück)
Hinweis
Die angegebenen Nennströme gelten bei einer Verbindungstemperatur von Tc = +100°C.
Normen
AEC-Q101
IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
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