onsemi IGBT / 40 A ±20V max., 600 V 208 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 864-8792
- Herst. Teile-Nr.:
- FGB20N60SFD-F085
- Marke:
- onsemi
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 864-8792
- Herst. Teile-Nr.:
- FGB20N60SFD-F085
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 40 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 208 W | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 10.67 x 9.65 x 4.83mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 40 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 208 W | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 10.67 x 9.65 x 4.83mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Für die Automobilindustrie zugelassene IGBTs, Fairchild Semiconductor
Eine Serie von Feldstopp-Trench-IGBTs von Fairchild Semiconductor, die einem Belastungstest unterzogen wurden und die Norm AEC-Q101 erfüllen.
Merkmale
• Positiver Temperaturkoeffizient für einfachen Parallelbetrieb
• Hohe Strombelastbarkeit
• Niedrige Sättigungsspannung
• Hohe Eingangsimpedanz
• Engere Parameterverteilung
• Hohe Strombelastbarkeit
• Niedrige Sättigungsspannung
• Hohe Eingangsimpedanz
• Engere Parameterverteilung
RS-Produktcodes
864-8792 FGB20N60SFD_F085 IGBT 600 V 20 A D2PAK-2
864-8852 FGH40N60SMD_F085 IGBT 600 V 40 A TO247
864-8877 FGH60N60SMD_F085 IGBT 600 V 60 A TO247
135-8687 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650 V 40 A TO263
135-8663 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650 V 40 A TO263 (Packung mit 800 Stück)
864-8871 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650 V 75 A TO247
124-1447 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650 V 75 A TO247 (Packung mit 30 Stück)
Hinweis
Die angegebenen Nennströme gelten bei einer Verbindungstemperatur von Tc = +100°C.
Normen
AEC-Q101
IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- onsemi IGBT / 80 A ±20V max., 650 V 267 W, 2+Tab-Pin D2PAK (TO-263) P-Kanal
- onsemi IGBT / 120 A ±20V max., 600 V 600 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- onsemi IGBT / 41 A ±10V max., 400 V 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- onsemi IGBT / 60 A ±20V max., 600 V 208 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- Infineon IGBT / 10 A ±20V max., 600 V 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 10 A ±20V max., 600 V 65 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 20 A ±20V max., 600 V 65 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- onsemi SuperFET N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 20 A 208 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)