- RS Best.-Nr.:
- 185-7972
- Herst. Teile-Nr.:
- AFGB40T65SQDN
- Marke:
- onsemi
Das Produkt ist zurzeit nicht verfügbar und kann derzeit nicht vorbestellt werden.
Leider ist dieses Produkt derzeit nicht auf Lager und kann nicht vorbestellt werden.
Im Warenkorb
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 800)
CHF.2.636
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
800 + | CHF.2.636 | CHF.2'105.04 |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 185-7972
- Herst. Teile-Nr.:
- AFGB40T65SQDN
- Marke:
- onsemi
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Nicht-konform
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Einsatz des neuartigen Feldstops IGBT-Technologie der 4. Generation. AFGB40T65SQDN bietet die optimale Leistung mit geringer Leitungsdämpfung und Schaltdämpfung für einen hocheffizienten Betrieb in verschiedenen Anwendungen.
VCE(sat) = 1,6 V (typ.) @ IC = 40 A
Koverpackte Diode mit niedriger VF-Empfindlichkeit
Für die Automobilindustrie
Geringer Leitungsverlust
Geringes Rauschen und Leitungsverlust
Anwendungen
Kfz-Bordgebühr
KFZ-DC/DC-Wandler für HEV
Endprodukte
EV/PHEV
Koverpackte Diode mit niedriger VF-Empfindlichkeit
Für die Automobilindustrie
Geringer Leitungsverlust
Geringes Rauschen und Leitungsverlust
Anwendungen
Kfz-Bordgebühr
KFZ-DC/DC-Wandler für HEV
Endprodukte
EV/PHEV
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 80 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V |
Gate-Source Spannung max. | ±20V |
Anzahl an Transistoren | 1 |
Verlustleistung max. | 238 W |
Gehäusegröße | D2PAK |
Montage-Typ | SMD |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 3 |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Abmessungen | 10.67 x 9.65 x 4.58mm |
Automobilstandard | AEC-Q101 |
Nennleistung | 22.3mJ |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Gate-Kapazität | 2495pF |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |