onsemi IGBT / 80 A, 650 V 94 W, 3-Pin TO-3PF Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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Herst. Teile-Nr.:
FGAF40S65AQ
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

80A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

94W

Gehäusegröße

TO-3PF

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.6V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

15.3 mm

Länge

19.1mm

Normen/Zulassungen

Pb-Free and is RoHS

Serie

Trench

Automobilstandard

Nein

Energie

325mJ

Nicht-konform

Ursprungsland:
KR
Mit der neuartigen Feldstop-IGBT-Technologie bietet die neue Feldstopp-Baureihe von ON Semiconductor der 4. Generation von RC IGBTs die optimale Leistung für Umrichter-PFC-Stufe von Consumer-Anwendungen und industriellen Anwendungen.

Maximale Abschlusstemperatur: TJ = 175 °C.

Positiv temperiert koeffizient für einfachen Parallelbetrieb

Hohe Strombelastbarkeit

Niedrige Sättigungsspannung: VCE(sat) = 1,6V(typ.) @ IC = 40A

Hohe Eingangsimpedanz

100 % der Teile wurden auf ILM getestet

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Verschärfte Parameterverteilung

IGBT mit monolithischer Rückleiterdiode

Anwendungen

Haushaltsgeräte

PFC, Schweißgerät

Industrieanwendungen

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