onsemi IGBT-Modul / 50 A, 1200 V 186 W, 22-Pin Q0BOOST Typ N-Kanal Oberfläche

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RS Best.-Nr.:
195-8768
Herst. Teile-Nr.:
NXH100B120H3Q0PTG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

50A

Produkt Typ

IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

186W

Anzahl an Transistoren

2

Gehäusegröße

Q0BOOST

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

22

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.3V

Betriebstemperatur min.

150°C

Maximale Betriebstemperatur

-40°C

Serie

NXH100B120H3Q0

Breite

32.8 mm

Länge

66.2mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

11.9mm

Automobilstandard

Nein

Das NXH100B120H3Q0 ist ein Versorgungsmodul einschließlich zweifacher Boost-Stufe bestehend aus zwei 50A / 1200 V IGBTs, zwei 20A / 1200 V SiC-Dioden und zwei 25 A / 1600 V antiparallelen Dioden für die IGBTs. Zwei zusätzliche 25 A / 1600 V Bypass-Gleichrichter zur Begrenzung des Einschaltstroms sind enthalten. Einen integrierter Heißleiter ist enthalten.

IGBT-Spezifikationen: VCE(SAT) = 1,77 V, ESW = 2180 uJ

Schneller IGBT mit niedriger VCE(SAT) für hohe Effizienz

25 A / 1600 V Bypass- und antiparallele Dioden

Bypass-Dioden mit niedriger Durchlassspannung für ausgezeichneten Wirkungsgrad im Bypass-Modus

SiC-Gleichrichter, technische Daten: VF = 1,44 V

SiC-Diode für hohe Schaltgeschwindigkeit

Optionen für Löt- und Presssitzstifte erhältlich

Flexible Montage

Anwendungen

MPPT-Boost-Stufe

Ladegerät-Ladestufe

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