STMicroelectronics IGBT / 40 A, 650 V 238 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 202-5518
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA40IH65DF
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
| 30 - 120 | CHF 2.525 | CHF 75.75 |
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| 300 + | CHF 2.464 | CHF 73.90 |
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- RS Best.-Nr.:
- 202-5518
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA40IH65DF
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 40A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 238W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Breite | 21.1mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 15.9mm | |
| Serie | STG | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 40A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 238W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.1mm | ||
Breite 21.1mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 15.9mm | ||
Serie STG | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der weich schaltende IGBT der Serie STMicroelectronics IH wurde mit einer Advanced-eigenen Trench Gate Feldstoppstruktur entwickelt, deren Leistung sowohl bei Leitungs- als auch bei Schaltverlusten für weiche Kommutierung optimiert ist.
Diode mit niedrigem Spannungsabfall und Freilauf in kopaketiertem Gehäuse
Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient
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