onsemi IGBT-Modul / 35 A ±20.0V max. 6-fach, 650 V DIP26 N-Kanal

Alle IGBT anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
202-5681
Herst. Teile-Nr.:
NXH35C120L2C2SG
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Dauer-Kollektorstrom max.

35 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20.0V

Anzahl an Transistoren

6

Konfiguration

3-phasig

Gehäusegröße

DIP26

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Das on Semiconductor Transferform-Leistungsmodul mit einem Wandler/Wechselrichter-Bremskreis bestehend aus sechs 35-Ampere- und 1600-Volt-Gleichrichtern, sechs 35-Ampere- und 1200-Volt-IGBTs mit inversen Dioden, einem 35-Ampere- und 1200-Volt-Brems-IGBT mit Bremsdiode und einem NTC-Heißleiter.

Niedriger Wärmewiderstand
6 mm Abstand zwischen Stift und Kühlkörper
Lötbare Stifte
Thermistor
Bleifrei
Halogenfrei oder BFR-frei
RoHS-konform

Verwandte Links