onsemi IGBT-Modul / 35 A, 650 V 20 mW, 26-Pin DIP-26 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
202-5681
Herst. Teile-Nr.:
NXH35C120L2C2SG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

IGBT-Modul

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

35A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Gehäusegröße

DIP-26

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

26

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±2 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.4V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

40 mm

Länge

73mm

Serie

CIB

Normen/Zulassungen

No

Höhe

8mm

Automobilstandard

Nein

Das on Semiconductor Transferform-Leistungsmodul mit einem Wandler/Wechselrichter-Bremskreis bestehend aus sechs 35-Ampere- und 1600-Volt-Gleichrichtern, sechs 35-Ampere- und 1200-Volt-IGBTs mit inversen Dioden, einem 35-Ampere- und 1200-Volt-Brems-IGBT mit Bremsdiode und einem NTC-Heißleiter.

Niedriger Wärmewiderstand

6 mm Abstand zwischen Stift und Kühlkörper

Lötbare Stifte

Thermistor

Bleifrei

Halogenfrei oder BFR-frei

RoHS-konform

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