STMicroelectronics IGBT / 40 A ±20V max. , 650 V 45 W, 3-Pin TO-220FP

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

CHF.69.30

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 04. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 50CHF.1.386CHF.69.51
100 - 200CHF.1.355CHF.67.62
250 - 450CHF.1.313CHF.65.78
500 - 950CHF.1.281CHF.64.16
1000 +CHF.1.25CHF.62.53

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
204-9871
Herst. Teile-Nr.:
STGF20H65DFB2
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Dauer-Kollektorstrom max.

40 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

45 W

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

TO-220FP

Pinanzahl

3

Ursprungsland:
CN
Die Serie STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stellt eine Weiterentwicklung der Advanced proprietären Trench Gate Field Stopp-Struktur dar. Die Leistung der HB2-Serie ist durch ein besseres VCE(sat)-Verhalten bei niedrigen Stromwerten sowie durch reduzierte Schaltenergie optimiert.

Maximale Sperrschichttemperatur: TJ = 175 °C.
Niedriger VCE(sat) = 1,65 V (typ.) @ IC = 20 A
Sehr schnelle und weiche Rückgewinnungsdiode in einem Gehäuse
Minimierter Endstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand

Verwandte Links