STMicroelectronics IGBT / 40 A, 650 V 45 W, 3-Pin TO-220FP Typ N-Kanal Durchsteckmontage

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

CHF.69.30

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 50CHF.1.386CHF.69.51
100 - 200CHF.1.355CHF.67.62
250 - 450CHF.1.313CHF.65.78
500 - 950CHF.1.281CHF.64.16
1000 +CHF.1.25CHF.62.53

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
204-9871
Herst. Teile-Nr.:
STGF20H65DFB2
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

40A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

45W

Gehäusegröße

TO-220FP

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

1MHz

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

STG

Breite

16.4 mm

Länge

10.4mm

Höhe

4.6mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Die Serie STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stellt eine Weiterentwicklung der Advanced proprietären Trench Gate Field Stopp-Struktur dar. Die Leistung der HB2-Serie ist durch ein besseres VCE(sat)-Verhalten bei niedrigen Stromwerten sowie durch reduzierte Schaltenergie optimiert.

Maximale Sperrschichttemperatur: TJ = 175 °C.

Niedriger VCE(sat) = 1,65 V (typ.) @ IC = 20 A

Sehr schnelle und weiche Rückgewinnungsdiode in einem Gehäuse

Minimierter Endstrom

Enge Parameterverteilung

Niedriger Wärmewiderstand

Verwandte Links