STMicroelectronics IGBT / 115 A ±20V max. , 650 V 357 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 206-7212
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA75H65DFB2
- Marke:
- STMicroelectronics
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- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA75H65DFB2
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 115 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Verlustleistung max. | 357 W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 115 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Verlustleistung max. 357 W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Der STMicroelectronics Trench Gate Feldanschlag, 650 V, 75 A, Hochgeschwindigkeits-IGBT der Serie HB2 in einem TO-247-Gehäuse mit langen Leitungen.
Maximale Sperrschichttemperatur: TJ = 175 °C.
Niedriger VCE(sat) = 1,55 V (typ.) @ IC = 75 A
Sehr schnelle und weiche Rückgewinnungsdiode in einem Gehäuse
Minimierter Endstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand
Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient
Niedriger VCE(sat) = 1,55 V (typ.) @ IC = 75 A
Sehr schnelle und weiche Rückgewinnungsdiode in einem Gehäuse
Minimierter Endstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand
Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient
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