Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 80 A, 600 V 428 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

CHF.150.30

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 210 Einheit(en) mit Versand ab 14. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 - 30CHF 5.01CHF 150.17
60 - 60CHF 4.757CHF 142.65
90 +CHF 4.454CHF 133.65

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
215-6621
Herst. Teile-Nr.:
AIKW75N60CTXKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

80A

Produkt Typ

IGBT-Einzel-Transistor-IC

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

428W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

N

Pinanzahl

3

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.5V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Serie

TrenchStop

Breite

16.13mm

Höhe

5.21mm

Länge

42mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon bipolare Transistor mit isoliertem Gate und positivem Temperaturkoeffizient in der Sättigungsspannung.

Hoher Wirkungsgrad

Niedrige Schaltverluste

Erhöhte Zuverlässigkeit

Geringe elektromagnetische Störungen

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.