Infineon IGBT / 160 A 20V max. , 600 V 833 W, 3-Pin PG-TO247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 226-6108
- Herst. Teile-Nr.:
- IKQ120N60TXKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | CHF.9.429 | CHF.283.03 |
| 60 - 60 | CHF.8.967 | CHF.268.88 |
| 90 + | CHF.8.589 | CHF.257.54 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 226-6108
- Herst. Teile-Nr.:
- IKQ120N60TXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 160 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | 20V | |
| Verlustleistung max. | 833 W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Konfiguration | Single | |
| Gehäusegröße | PG-TO247 | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 160 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. 20V | ||
Verlustleistung max. 833 W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Konfiguration Single | ||
Gehäusegröße PG-TO247 | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Der Infineon IKQ120N60T verfügt über einen 600 V hart schaltenden IGBT, diskret mit einer antiparallelen Diode, die eine höhere Systemleistungsdichte aufweist, die die gleiche thermische Leistung des Systems beibehalten und eine höhere Zuverlässigkeit mit verlängerter Lebensdauer des Geräts bietet.
35 % größerer aktiver Thermopadbereich für bis zu 20 % geringeren Wärmewiderstand R th(jh)
Erweiterter Kriechstrecke von 4,25 mm - 2 mm größer als TO-247
Erweiterter Kriechstrecke von 4,25 mm - 2 mm größer als TO-247
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