Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 160 A, 600 V 833 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 226-6109
- Herst. Teile-Nr.:
- IKQ120N60TXKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Leider können wir keine Angaben machen, wann dieser Artikel wieder vorrätig sein wird.
- RS Best.-Nr.:
- 226-6109
- Herst. Teile-Nr.:
- IKQ120N60TXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT-Einzel-Transistor-IC | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 160A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 833W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.5V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Länge | 41.2mm | |
| Breite | 15.9 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | TrenchStop | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT-Einzel-Transistor-IC | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 160A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 833W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.5V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.1mm | ||
Länge 41.2mm | ||
Breite 15.9 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie TrenchStop | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IKQ120N60T verfügt über einen 600 V hart schaltenden IGBT, diskret mit einer antiparallelen Diode, die eine höhere Systemleistungsdichte aufweist, die die gleiche thermische Leistung des Systems beibehalten und eine höhere Zuverlässigkeit mit verlängerter Lebensdauer des Geräts bietet.
35 % größerer aktiver Thermopadbereich für bis zu 20 % geringeren Wärmewiderstand R th(jh)
Erweiterter Kriechstrecke von 4,25 mm - 2 mm größer als TO-247
Verwandte Links
- Infineon IGBT / 160 A 20V max. , 600 V 833 W, 3-Pin PG-TO247 N-Kanal
- Infineon IGBT / 160 A ±20V max., 600 V 714 W, 3-Pin PG-TO247-3-46
- Infineon IGBT ±20V max., 650 V PG-TO247-3
- Infineon IGBT ±20V max., 650 V 230 W PG-TO247-3
- Infineon IGBT / 80 A ±20V max., 600 V 428 W, 3-Pin PG-TO247-3
- Infineon IGBT / 41 A ±20V max., 600 V 166 W, 3-Pin PG-TO247-3
- Infineon IGBT / 40 A ±20V max., 600 V 166 W, 3-Pin PG-TO247-3
- Infineon IGBT / 60 A ±20V max., 600 V 187 W, 3-Pin PG-TO247-3
