Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 160 A, 600 V 833 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 226-6109
- Herst. Teile-Nr.:
- IKQ120N60TXKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt sichern
10 weitere Einheiten hinzufügen, um 7% zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
CHF 12.01
Vorübergehend ausverkauft
- 240 Einheit(en) mit Versand ab 19. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|
| 1 - 9 | CHF 12.01 | - |
| 10 - 24 | CHF 11.05 | 7% |
| 25 - 49 | CHF 10.32 | 14% |
| 50 - 99 | CHF 9.62 | 19% |
| 100 + | CHF 8.89 | 25% |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 226-6109
- Herst. Teile-Nr.:
- IKQ120N60TXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 160A | |
| Produkt Typ | IGBT-Einzel-Transistor-IC | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 833W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Serie | TrenchStop | |
| Breite | 15.9mm | |
| Länge | 41.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 160A | ||
Produkt Typ IGBT-Einzel-Transistor-IC | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 833W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.5V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 5.1mm | ||
Serie TrenchStop | ||
Breite 15.9mm | ||
Länge 41.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IKQ120N60T verfügt über einen 600 V hart schaltenden IGBT, diskret mit einer antiparallelen Diode, die eine höhere Systemleistungsdichte aufweist, die die gleiche thermische Leistung des Systems beibehalten und eine höhere Zuverlässigkeit mit verlängerter Lebensdauer des Geräts bietet.
35 % größerer aktiver Thermopadbereich für bis zu 20 % geringeren Wärmewiderstand R th(jh)
Erweiterter Kriechstrecke von 4,25 mm - 2 mm größer als TO-247
Verwandte Links
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 160 A, 600 V 833 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 20 A, 1200 V 288 W, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 75 A, 650 V 395 W, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 80 A, 650 V 270 W, 3-Pin TO-247 Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 74 A, 650 V 250 W, 3-Pin TO-247 Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 40 A, 1350 V 310 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 60 A, 650 V 176 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 30 A, 1200 V 156 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage