Infineon IGBT / 40 A ±20 V, ±25 V max., 1350 V 310 W, 3-Pin PG-TO247-3
- RS Best.-Nr.:
- 215-6636
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW20N135R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.3.707 | CHF.18.53 |
| 25 - 45 | CHF.3.339 | CHF.16.69 |
| 50 - 120 | CHF.3.119 | CHF.15.57 |
| 125 - 245 | CHF.2.93 | CHF.14.64 |
| 250 + | CHF.2.709 | CHF.13.52 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-6636
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW20N135R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 40 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1350 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V, ±25 V | |
| Verlustleistung max. | 310 W | |
| Gehäusegröße | PG-TO247-3 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 40 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1350 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V, ±25 V | ||
Verlustleistung max. 310 W | ||
Gehäusegröße PG-TO247-3 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Der bipolare Infineon Reverse-leitfähige Isolier-Gate-Transistor mit monolithischer Gehäusediode bietet eine hohe Durchschlagsspannung von 1350 V.
Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
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