Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 40 A, 1350 V 310 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 215-6635
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW20N135R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
CHF.52.11
Auf Lager
- Zusätzlich 210 Einheit(en) mit Versand ab 13. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | CHF.1.737 | CHF.52.00 |
| 60 - 120 | CHF.1.646 | CHF.49.39 |
| 150 - 270 | CHF.1.576 | CHF.47.33 |
| 300 - 570 | CHF.1.505 | CHF.45.24 |
| 600 + | CHF.1.404 | CHF.42.12 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-6635
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW20N135R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT-Einzel-Transistor-IC | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 40A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1350V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 310W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.85V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±25 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, RoHS | |
| Länge | 42mm | |
| Serie | Resonant Switching | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT-Einzel-Transistor-IC | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 40A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1350V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 310W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.85V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±25 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.21mm | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, RoHS | ||
Länge 42mm | ||
Serie Resonant Switching | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der bipolare Infineon Reverse-leitfähige Isolier-Gate-Transistor mit monolithischer Gehäusediode bietet eine hohe Durchschlagsspannung von 1350 V.
Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
Verwandte Links
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 40 A, 1350 V 310 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 75 A, 650 V 395 W, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 74 A, 650 V 250 W, 3-Pin TO-247 Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 20 A, 1200 V 288 W, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 80 A, 650 V 270 W, 3-Pin TO-247 Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 30 A, 1200 V 156 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 53 A, 600 V 141 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 60 A, 1200 V 330 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage