Infineon IGBT / 85 A, 650 V 227 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 215-6633
- Herst. Teile-Nr.:
- IGW30N65L5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
CHF.63.63
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | CHF.2.121 | CHF.63.63 |
| 60 - 120 | CHF.2.02 | CHF.60.45 |
| 150 - 270 | CHF.1.929 | CHF.57.90 |
| 300 - 570 | CHF.1.848 | CHF.55.36 |
| 600 + | CHF.1.717 | CHF.51.54 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-6633
- Herst. Teile-Nr.:
- IGW30N65L5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 85A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 227W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.5V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | Pb-free lead plating, RoHS, JEDEC | |
| Serie | LowVCE(sat) Fifth Generation | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 85A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 227W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.5V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±30 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen Pb-free lead plating, RoHS, JEDEC | ||
Serie LowVCE(sat) Fifth Generation | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der bipolare Transistor mit isoliertem Gate der fünften Generation von Infineon mit niedriger Sättigungsspannung.
Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
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