Teile-Nr.

Infineon IGBT / 85 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 227 W, 3-Pin PG-TO247-3

RS Best.-Nr.:: 215-6633
Herst. Teile-Nr.:: IGW30N65L5XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 85 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 227 W, 3-Pin PG-TO247-3

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Stück	Pro Stück	Pro Stange*
30 - 30	CHF.2.006	CHF.60.10
60 - 120	CHF.1.901	CHF.57.11
150 - 270	CHF.1.827	CHF.54.68
300 - 570	CHF.1.743	CHF.52.29
600 +	CHF.1.628	CHF.48.70

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 215-6633
Herst. Teile-Nr.:: IGW30N65L5XKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	85 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	650 V
	Gate-Source Spannung max.	±20 V, ±30 V
	Verlustleistung max.	227 W
	Gehäusegröße	PG-TO247-3
	Pinanzahl	3

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 85 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 650 V
	Gate-Source Spannung max. ±20 V, ±30 V
	Verlustleistung max. 227 W
	Gehäusegröße PG-TO247-3
	Pinanzahl 3

Datasheet-IGW30N65L5XKSA1

Der bipolare Transistor mit isoliertem Gate der fünften Generation von Infineon mit niedriger Sättigungsspannung.

Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen

Infineon IGBT / 85 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 227 W, 3-Pin PG-TO247-3

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