Infineon IGBT / 80 A ±20 V, ±25 V max., 1200 V 394 W, 3-Pin PG-TO247-3
- RS Best.-Nr.:
- 215-6641
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW40N120R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.3.854 | CHF.7.71 |
| 20 - 48 | CHF.3.465 | CHF.6.94 |
| 50 - 98 | CHF.3.234 | CHF.6.48 |
| 100 - 198 | CHF.3.014 | CHF.6.03 |
| 200 + | CHF.2.772 | CHF.5.54 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-6641
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW40N120R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 80 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V, ±25 V | |
| Verlustleistung max. | 394 W | |
| Gehäusegröße | PG-TO247-3 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 80 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V, ±25 V | ||
Verlustleistung max. 394 W | ||
Gehäusegröße PG-TO247-3 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Der Infineon bipolare Transistor mit isoliertem Gate mit leistungsfähiger monolithischer Gehäusediode mit niedriger Durchlassspannung für weiche Kommutierung.
Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
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