Infineon Resonantes Schalten / 80 A, 1200 V 394 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 215-6640
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW40N120R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 30 - 30 | CHF 2.545 | CHF 76.36 |
| 60 - 120 | CHF 2.414 | CHF 72.54 |
| 150 + | CHF 2.313 | CHF 69.48 |
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- RS Best.-Nr.:
- 215-6640
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW40N120R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 80A | |
| Produkt Typ | Resonantes Schalten | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 394W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.85V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±25 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | Pb-free lead plating, IEC61249-2-21, RoHS, JESD-022 | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Länge | 42mm | |
| Breite | 16.13mm | |
| Serie | IHW40N120R5 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 80A | ||
Produkt Typ Resonantes Schalten | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 394W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.85V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±25 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen Pb-free lead plating, IEC61249-2-21, RoHS, JESD-022 | ||
Höhe 5.21mm | ||
Länge 42mm | ||
Breite 16.13mm | ||
Serie IHW40N120R5 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Resonanzschaltung der Serie IHW40N120R5 von Infineon, 1200 V Kollektor-Emitter-Spannung, 80 A kontinuierlicher Kollektorstrom – IHW40N120R5XKSA1
Dieses resonante Schaltgerät ist ein Hochspannungs-Leistungs-MOSFET, der für den Einsatz in anspruchsvollen Schaltanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet als N-Kanal-Transistor in einem TO-247-Gehäuse mit Durchgangsbohrung und ist für Schaltkreise vorgesehen, die eine robuste Strombelastbarkeit und eine hohe Temperaturbeständigkeit erfordern. Die Komponente eignet sich für Entwickler, die einen diskreten Leistungstransistor für Resonanzwandler und andere Hochenergie-Schalttopologien benötigen.
Merkmale und Vorteile:
• 1200-V-Sperrkapazität ermöglicht Hochspannungs-Systemkonstruktionen
• 80 A Dauerstrom unterstützt die Handhabung schwerer Lasten
• 1,85 V VCE(sat) reduziert Leitungsverluste bei hohen Strömen
• Die Gate-Emitter-Bewertung von ±25 V ermöglicht flexible Antriebsspannungen
• Die Verlustleistung von 394 W ermöglicht eine anhaltende thermische Belastung
• 80 A Dauerstrom unterstützt die Handhabung schwerer Lasten
• 1,85 V VCE(sat) reduziert Leitungsverluste bei hohen Strömen
• Die Gate-Emitter-Bewertung von ±25 V ermöglicht flexible Antriebsspannungen
• Die Verlustleistung von 394 W ermöglicht eine anhaltende thermische Belastung
Anwendungsbereich
• Geeignet für resonante AC/DC-Wandlerstufen
• Ideal für Hochleistungswechselrichter-Ausgangsstufen
• Wird für industrielle Stromversorgungen mit hoher Beanspruchung verwendet
• Kann für Soft-Switching-Topologien in SMPS verwendet werden
• Geeignet für Laborprüfgeräte für Leistungselektronik
• Ideal für Hochleistungswechselrichter-Ausgangsstufen
• Wird für industrielle Stromversorgungen mit hoher Beanspruchung verwendet
• Kann für Soft-Switching-Topologien in SMPS verwendet werden
• Geeignet für Laborprüfgeräte für Leistungselektronik
Welche Befestigung und Pin-Konfiguration werden verwendet?
Das Gerät wird in einem TO-247-Gehäuse mit drei Stiften geliefert und ist für die Durchsteckmontage auf geeigneten kupferbeschichteten Substraten vorgesehen.
Welchem Temperaturbereich kann er während des Betriebs standhalten?
Er ist für den Betrieb von -40 °C bis 175 °C Sperrschichttemperatur ausgelegt und bietet eine große thermische Spanne in rauen Umgebungen.
Auf welche Normen wird für die Material- und Platinenkompatibilität Bezug genommen?
Die Komponente entspricht den IEC 61249-2-21-Richtlinien für Laminate und erfüllt RoHS-Beschränkungen sowie Pb-freie Bleibeschichtungspraktiken.
Wie wirkt sich die Gate-Emitter-Grenze auf die Antriebsstromkreise aus?
Die maximale Gate-Emitter-Bewertung von ±25 V legt die zulässige Peak-Gate-Swing fest und erfordert Gate-Treiber, die die Gate-Spannung innerhalb dieses Fensters halten.
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