Teile-Nr.

Infineon IGBT / 30 A ±20V max., 600 V 250 W, 3-Pin PG-TO252-3

RS Best.-Nr.:: 215-6657
Herst. Teile-Nr.:: IKD15N60RATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 30 A ±20V max., 600 V 250 W, 3-Pin PG-TO252-3

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RS Best.-Nr.:: 215-6657
Herst. Teile-Nr.:: IKD15N60RATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	30 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	600 V
	Gate-Source Spannung max.	±20V
	Verlustleistung max.	250 W
	Gehäusegröße	PG-TO252-3
	Pinanzahl	3

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 30 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 600 V
	Gate-Source Spannung max. ±20V
	Verlustleistung max. 250 W
	Gehäusegröße PG-TO252-3
	Pinanzahl 3

Datasheet-IKD15N60RATMA1

Der Infineon bipolare Transistor mit isoliertem Gate und integrierter Diode in Gehäusen bietet einen platzsparenden Vorteil.

Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen

Infineon IGBT / 30 A ±20V max., 600 V 250 W, 3-Pin PG-TO252-3

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