Infineon IGBT / 30 A, 1600 V 263 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 218-4398
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N160R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
CHF.67.56
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | CHF.2.252 | CHF.67.63 |
| 60 - 120 | CHF.2.141 | CHF.64.24 |
| 150 + | CHF.2.05 | CHF.61.54 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-4398
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N160R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 30A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1600V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 263W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.85V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 ±25 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 21.5mm | |
| Höhe | 5.3mm | |
| Serie | IHW30N160R5 | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC47/20/22 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 30A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1600V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 263W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.85V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 ±25 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 21.5mm | ||
Höhe 5.3mm | ||
Serie IHW30N160R5 | ||
Normen/Zulassungen JEDEC47/20/22 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon IGBT, 30 A maximaler Kollektor-Dauerstrom, 1600 V maximale Kollektor-Emitter-Spannung - IHW30N160R5XKSA1
Bei diesem IGBT handelt es sich um ein robustes Halbleiterbauelement für Hochspannungsanwendungen mit einem maximalen Kollektorstrom von 30 A, das in einem Temperaturbereich von -40°C bis +175°C arbeitet. Das TO-247-Gehäuse gewährleistet eine bequeme Installation, während die Abmessungen von 16,3 x 21,5 x 5,3 mm eine kompakte Lösung für verschiedene elektronische Anforderungen darstellen.
Eigenschaften und Vorteile
• Rückwärtsleitende Fähigkeit für verbesserte Leistung
• Monolithische Body-Diode reduziert den Durchlassspannungsverlust
• Enge Parameterverteilung erhöht die Zuverlässigkeit
• Hohe Robustheit verbessert die Haltbarkeit unter anspruchsvollen Bedingungen
• Geringe EMI-Emissionen sorgen für minimale Störungen in Schaltkreisen
Anwendungen
• Für das Induktionskochen
• Geeignet für Mikrowellenherdschaltungen
• Ideal für verschiedene Hochspannungsschaltungen
• Kompatibel mit speziellen Halbleiter-Leistungsmodulen
Was sind die wichtigsten thermischen Eigenschaften dieses Geräts?
Der Wärmewiderstand von der Sperrschicht zur Umgebung beträgt 40 K/W, und der Wärmewiderstand von der Sperrschicht zum Gehäuse beträgt 0,57 K/W, was ein effizientes Wärmemanagement unter Lastbedingungen gewährleistet.
Wie verhält sich dieses IGBT-Modul bei Hochspannungsanwendungen?
Mit einer Kollektor-Emitter-Spannung von bis zu 1600 V eignet er sich für Hochspannungsumgebungen und gewährleistet gleichzeitig einen sicheren Betrieb innerhalb der vorgegebenen Grenzen.
Welche Auswirkungen hat die maximale Verlustleistung auf die Konstruktion?
Mit einer maximalen Verlustleistung von 263 W ermöglicht er ein effizientes Energiemanagement und stellt sicher, dass das Gerät in typischen Anwendungen effektiv und ohne thermische Überlastung arbeiten kann.
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