Infineon IGBT / 30 A, 1.6 kV 263 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 218-4398
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N160R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
CHF 83.64
Auf Lager
- 1'650 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | CHF 2.788 | CHF 83.63 |
| 60 - 120 | CHF 2.646 | CHF 79.45 |
| 150 + | CHF 2.535 | CHF 76.11 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-4398
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N160R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 30A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1.6kV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 263W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 ±25 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.85V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.3mm | |
| Breite | 16.3mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC47/20/22 | |
| Länge | 21.5mm | |
| Serie | IHW30N160R5 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 30A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1.6kV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 263W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 ±25 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.85V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.3mm | ||
Breite 16.3mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC47/20/22 | ||
Länge 21.5mm | ||
Serie IHW30N160R5 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon IHW30N160R5 Serie IGBT, 1600 V Kollektor-Emitter-Spannung, 30 A Kollektorstrom – IHW30N160R5XKSA1
Dieser IGBT ist ein Hochspannungs-Durchstecktransistor, der für die Stromschaltung in anspruchsvollen industriellen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet als N-Kanal-Gerät in einem TO-247-Gehäuse und ist für Anwendungen vorgesehen, die eine hohe Strombelastbarkeit und eine hohe Temperaturtoleranz erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Verarbeitet einen kontinuierlichen Kollektorstrom von 30 A für dauerhafte Lasten
• Hält einer Kollektor-Emitter-Spannung von 1600 V für Hochspannungssysteme stand
• Die Verlustleistung von 263 W unterstützt hohe Schaltanforderungen
• Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung von 1,85 V reduziert Leitungsverluste
• Die Gate-Emitter-Spannungstoleranz von ±20-25 V ermöglicht robuste Gate-Drive-Margen
• Qualifiziert gemäß JEDEC 47/20/22 für standardisierte thermische und mechanische Belastbarkeit
• Hält einer Kollektor-Emitter-Spannung von 1600 V für Hochspannungssysteme stand
• Die Verlustleistung von 263 W unterstützt hohe Schaltanforderungen
• Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung von 1,85 V reduziert Leitungsverluste
• Die Gate-Emitter-Spannungstoleranz von ±20-25 V ermöglicht robuste Gate-Drive-Margen
• Qualifiziert gemäß JEDEC 47/20/22 für standardisierte thermische und mechanische Belastbarkeit
Anwendungen
• Geeignet für industrielle Hochspannungswechselrichterstufen
• Wird für Traktions- und Motorantriebsmodule mit mittlerer Leistung verwendet
• Ideal für Hochspannungs-DC/DC-Wandlerschaltkreise
• Kann für Stromversorgungen in der industriellen Automatisierung verwendet werden
• Einsatz mit Wärmemanagementsystemen, die bei hohen Temperaturen betrieben werden
• Wird für Traktions- und Motorantriebsmodule mit mittlerer Leistung verwendet
• Ideal für Hochspannungs-DC/DC-Wandlerschaltkreise
• Kann für Stromversorgungen in der industriellen Automatisierung verwendet werden
• Einsatz mit Wärmemanagementsystemen, die bei hohen Temperaturen betrieben werden
Welchen Betriebstemperaturbereich kann er tolerieren?
Er funktioniert bei Temperaturen von -40 °C bis 175 °C und ermöglicht den Einsatz in breiten thermischen Umgebungen.
Wie viele Transistorelemente befinden sich im Gerät?
Das Gehäuse enthält ein einzelnes Transistorelement für diskretes Schalten.
Welche Befestigungsmethode und Gehäusetyp werden verwendet?
Er wird für die Durchsteckmontage in einem TO-247-Gehäuse geliefert.
Gibt es Zulassungen für mechanische und thermische Prüfungen?
Er erfüllt die JEDEC 47/20/22-Normen für thermische Zyklen und zugehörige Tests.
Verwandte Links
- Infineon IGBT / 30 A, 1600 V 263 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 81 A, 1200 V TO-247 Typ N-Kanal
- Infineon IGBT / 34 A, 600 V 100 W TO-263 Typ N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 85 A, 1600 V 395 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 40 A, 1200 V, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 8 A, 1200 V, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 25 A, 1200 V, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 12 A, 600 V 88 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Durchsteckmontage