Infineon IGBT / 83 A, 650 V 210 W, 3-Pin PG-TO-247 Typ N-Kanal Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 225-0574
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW40N65R6XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.17.32
Auf Lager
- Zusätzlich 15 Einheit(en) mit Versand ab 03. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.3.464 | CHF.17.33 |
| 25 - 45 | CHF.3.121 | CHF.15.58 |
| 50 - 120 | CHF.2.909 | CHF.14.54 |
| 125 - 245 | CHF.2.707 | CHF.13.52 |
| 250 + | CHF.2.495 | CHF.12.48 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 225-0574
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW40N65R6XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 83A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 210W | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | TrenchStop | |
| Höhe | 5.3mm | |
| Länge | 16.3mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 83A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 210W | ||
Gehäusegröße PG-TO-247 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.6V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie TrenchStop | ||
Höhe 5.3mm | ||
Länge 16.3mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IHW40N65R6 ist der 650-V-, 40-A-IGBT mit monolithisch integrierter Diode im TO-247-Gehäuse mit monolithisch integrierter Diode, der die anspruchsvollen Anforderungen von Induktionsheizungsanwendungen mit Halbbrücken-Resonanztopologie erfüllt.
Frequenzbereich: 20-75 kHz
Geringe elektromagnetische Störungen
Sehr enge Parameter Verteilung
Maximaler TJ-Betrieb von 175 °C.
Verwandte Links
- Infineon IGBT / 83 A, 650 V 210 W, 3-Pin PG-TO-247 Typ N-Kanal Oberfläche
- Infineon IGBT, 650 V 185 W, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT-Modul / 75 A, 650 V 395 W PG-TO-247
- Infineon IGBT / 40 A, 650 V 250 W, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT / 80 A, 650 V 333 W, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT / 40 A, 650 V 136 W, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT / 40 A, 650 V 230.8 W, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT / 30 A, 650 V 188 W, 3-Pin PG-TO-247