Teile-Nr.

Infineon IGBT / 25 A 30V max. , 650 V 32,5 W, 3-Pin PG-TO220 N-Kanal

RS Best.-Nr.:: 226-6080
Herst. Teile-Nr.:: IKA10N65ET6XKSA2
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 25 A 30V max. , 650 V 32,5 W, 3-Pin PG-TO220 N-Kanal

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100 - 240	CHF.0.83	CHF.8.33
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RS Best.-Nr.:: 226-6080
Herst. Teile-Nr.:: IKA10N65ET6XKSA2
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	25 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	650 V
	Gate-Source Spannung max.	30V
	Verlustleistung max.	32,5 W
	Anzahl an Transistoren	1
	Gehäusegröße	PG-TO220
	Konfiguration	Single
	Channel-Typ	N
	Pinanzahl	3
	Transistor-Konfiguration	Einfach

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 25 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 650 V
	Gate-Source Spannung max. 30V
	Verlustleistung max. 32,5 W
	Anzahl an Transistoren 1
	Gehäusegröße PG-TO220
	Konfiguration Single
	Channel-Typ N
	Pinanzahl 3
	Transistor-Konfiguration Einfach

Datasheet - IKA10N65ET6XKSA2

Der Infineon IKA10N65ET6 bietet eine gute Wärmeleistung, insbesondere bei höheren Frequenzen und erhöhter Designmarge und Zuverlässigkeit. Es ist eine sehr weiche, schnell rückgewinnende antiparallele Rapid Diode.

Sehr niedriger VCE(sat) 1,5 V (typ.)
Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C.
Low Gate-LadeQG
Bleifreie KabelplattenRoHS-konform

Infineon IGBT / 25 A 30V max. , 650 V 32,5 W, 3-Pin PG-TO220 N-Kanal

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