Infineon IGBT / 34 A 30V max. , 650 V 35,3 W, 3-Pin PG-TO220 N-Kanal

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*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
226-6081
Herst. Teile-Nr.:
IKA15N65ET6XKSA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

34 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

30V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

35,3 W

Gehäusegröße

PG-TO220

Konfiguration

Single

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Der Infineon IKA10N65ET6 bietet eine gute Wärmeleistung, insbesondere bei höheren Frequenzen und erhöhter Designmarge und Zuverlässigkeit. Es ist eine sehr weiche, schnell rückgewinnende antiparallele Rapid Diode. Er hat geringe Verluste, um energieeffiziente Anforderungen zu erfüllen.

Sehr niedriger VCE(sat) 1,5 V (typ.)
Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C.
Low Gate-LadeQG
Bleifreie KabelplattenRoHS-konform

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