Infineon IGBT / 10.8 A, 650 V 31.2 W, 3-Pin TO-220 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 273-2962
- Herst. Teile-Nr.:
- IKA08N65H5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.57.05
Auf Lager
- Zusätzlich 450 Einheit(en) mit Versand ab 30. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.1.141 | CHF.57.07 |
| 100 + | CHF.0.929 | CHF.46.46 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-2962
- Herst. Teile-Nr.:
- IKA08N65H5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 10.8A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 31.2W | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 16.15mm | |
| Breite | 10.65 mm | |
| Höhe | 4.85mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, Pb-Free, JEDEC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 10.8A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 31.2W | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.1V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 16.15mm | ||
Breite 10.65 mm | ||
Höhe 4.85mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, Pb-Free, JEDEC | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Hard Switching IGBT TRENCHSTOP 5 von Infineon ist mit der schnellen und weichen Anti-Parallel-Diode RAPID 1 in einem TO-220-Gehäuse verpackt.
Höhere Leistungsdichte
Es hat Anwendungen in der industriellen Heizung und beim Schweißen
Verwandte Links
- Infineon IGBT / 10.8 A, 650 V 31.2 W, 3-Pin TO-220 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 31.2 A 277.8 W, 3-Pin TO-220
- Infineon IGBT / 30 A ±20V max., 650 V 105 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal
- Infineon IGBT / 18 A, 650 V 70 W, 3-Pin TO-220 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 31.2 A, 3-Pin TO-263
- Infineon IGBT / 60 A, 650 V 148 W, 3-Pin HSIP247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 80 A 20V max. , 650 V 270 W, 3-Pin TO-263 N-Kanal
- Infineon IGBT / 74 A 30V max. , 650 V 255 W, 3-Pin PG-TO247 N-Kanal