Teile-Nr.

Infineon IGBT / 62 A 30V max. , 650 V 188 W, 3-Pin PG-TO220 N-Kanal

RS Best.-Nr.:: 226-6104
Herst. Teile-Nr.:: IKP39N65ES5XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 62 A 30V max. , 650 V 188 W, 3-Pin PG-TO220 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:: 226-6104
Herst. Teile-Nr.:: IKP39N65ES5XKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	62 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	650 V
	Gate-Source Spannung max.	30V
	Verlustleistung max.	188 W
	Anzahl an Transistoren	1
	Konfiguration	Single
	Gehäusegröße	PG-TO220
	Channel-Typ	N
	Pinanzahl	3
	Transistor-Konfiguration	Einfach

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 62 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 650 V
	Gate-Source Spannung max. 30V
	Verlustleistung max. 188 W
	Anzahl an Transistoren 1
	Konfiguration Single
	Gehäusegröße PG-TO220
	Channel-Typ N
	Pinanzahl 3
	Transistor-Konfiguration Einfach

Datasheet - IKP39N65ES5XKSA1

Der Infineon IKP39N65ES5 hat die höchste Leistungsdichte in TO-220-Abmessungen und benötigt keine Gate-Klemmkomponente. In diesem weichen Stromabfallverhalten ohne Rückstrom ist es ausgezeichnet für die Parallelschaltung geeignet.

Sehr niedriger VCEsat von 1,45 V bei 25 °C
4-facher Ic-Impulsstrom (100 °C Tc)
Maximale Sperrschichttemperatur TVJ 175 °C.

Infineon IGBT / 62 A 30V max. , 650 V 188 W, 3-Pin PG-TO220 N-Kanal

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